小改变大不同揭秘DDR4内存与DDR3区别

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樓主

發表於 2016-8-14 04:18:09

DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底，各大厂商纷纷上架DDR4内存产品，起跳频率达到2133MHz，标志着DDR3时代的终结。

　　DDR4内存虽然酝酿了很长时间，但是由于DDR4内存标准一直迟迟未公布，厂家宣传也很少，导致网友对DDR4内存了解甚少。那么今天笔者就带着大家提前进入DDR4内存时代。

DDR4与DDR3内存差异一：处理器

8核i7-5960X&DDR4出击 Intel HSW-E首测 Haswell-E架构图解

　　每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。

DDR4与DDR3内存差异二：外型

小改变大不同揭秘DDR4内存优势
DDR4金手指变化较大

　　大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

DDR4与DDR3内存差异三：参数

　　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

宇瞻DDR4 2133首测
默认频率DDR4 2133 CL15

宇瞻DDR4 2133首测
DDR4 2133频率下带宽测试：48.4GB/s

　　从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看，仅默认频率带宽就高达48.4GB/s，可见DDR4对系统性能提升重要性。

　　另外就是其它参数的改变，比如容量和电压。

　　DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。